Un equipo de investigación de la Universidad Nacional Normal de Taiwán ha desarrollado un transistor ferroeléctrico innovador que rompe barreras tecnológicas al superar el nodo de 3 nanómetros y tener un grosor de solo 1,3 nanómetros, lo que promete un menor consumo de energía y un potencial significativo para convertirse en una tecnología central en semiconductores. Este avance, publicado en la revista Nature Electronics, es respaldado por el Consejo Nacional de Ciencia de Taiwán, y se destaca por su utilización de materiales bidimensionales como el disulfuro de molibdeno.
El transistor ferroeléctrico desarrollado no solo resuelve problemas de inestabilidad asociados con la reducción de tamaño de los transistores tradicionales, sino que también integra funciones de memoria y cálculo en un solo dispositivo. El profesor Lan Yen-wen (藍彥文), líder del equipo de investigación, destaca que este transistor reduce significativamente el consumo de energía y aumenta la velocidad de cálculo al combinar estas funciones. Además, el proceso de fabricación utiliza técnicas ampliamente compatibles en la industria, lo que sugiere una fácil adopción por parte de los fabricantes de semiconductores.
El Consejo Nacional de Ciencia señala que el transistor ferroeléctrico ultradelgado, con solo 2 capas de átomos de material bidimensional, ofrece una solución ideal para procesos de semiconductores avanzados, mostrando un potencial tecnológico clave por debajo del nodo de 3 nanómetros. El desarrollo de esta tecnología representa un paso significativo hacia semiconductores más eficientes y rápidos, especialmente en un contexto de avances en IA y computación cuántica que demandan dimensiones más pequeñas y velocidades más altas.